casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1245Y-100+
codice articolo del costruttore | DS1245Y-100+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1245Y-100+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1245Y-100+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1245Y-100+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1245Y-100+-FT |
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel