casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR2A16AVYS35R
codice articolo del costruttore | MR2A16AVYS35R |
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Numero di parte futuro | FT-MR2A16AVYS35R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR2A16AVYS35R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A16AVYS35R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR2A16AVYS35R-FT |
IDT71024S12TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel