casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR2A08AMYS35R
codice articolo del costruttore | MR2A08AMYS35R |
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Numero di parte futuro | FT-MR2A08AMYS35R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR2A08AMYS35R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMYS35R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR2A08AMYS35R-FT |
71024S25TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc