casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR2A08AMYS35
codice articolo del costruttore | MR2A08AMYS35 |
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Numero di parte futuro | FT-MR2A08AMYS35 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR2A08AMYS35 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMYS35 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR2A08AMYS35-FT |
71024S25TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel