casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRC2152Z0L
codice articolo del costruttore | DRC2152Z0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRC2152Z0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRC2152Z0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2152Z0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRC2152Z0L-FT |
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3104RMTF
ON Semiconductor
FJV3102RMTF
ON Semiconductor
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR221E00L
Panasonic Electronic Components
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor