casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR533E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCR533E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR533E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR533E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
Potenza - Max | 330mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR533E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR533E6327HTSA1-FT |
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
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Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
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Intel
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel