casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR148E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCR148E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR148E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR148E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR148E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR148E6327HTSA1-FT |
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
PBRP113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRP123ES,126
NXP USA Inc.
PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010T-VFG400I
Microsemi Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
EP4CGX75CF23I7
Intel
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
EP4CE10E22C9LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ160
Microsemi Corporation
AGL060V2-CS121I
Microsemi Corporation