casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJV3104RMTF
codice articolo del costruttore | FJV3104RMTF |
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Numero di parte futuro | FT-FJV3104RMTF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJV3104RMTF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV3104RMTF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJV3104RMTF-FT |
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
ON Semiconductor
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
PBRP113ZS,126
NXP USA Inc.
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484I
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A3PE1500-1PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40I3N
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EP2SGX60EF1152I4N
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H1F35C2N
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