casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2144W0L
codice articolo del costruttore | DRA2144W0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRA2144W0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2144W0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2144W0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA2144W0L-FT |
FJN3314RTA
ON Semiconductor
FJN3315RTA
ON Semiconductor
FJN4304RTA
ON Semiconductor
FJN4306RTA
ON Semiconductor
FJN4307RTA
ON Semiconductor
FJN4308RTA
ON Semiconductor
FJN4310RTA
ON Semiconductor
FJN4311RTA
ON Semiconductor
FJN4312RTA
ON Semiconductor
FJN4313RTA
ON Semiconductor
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU025-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F40I1SG
Intel
5AGXFB3H4F35I3G
Intel
EP3SL70F780C3N
Intel
5SGXMA3H3F35I3N
Intel