casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJN3314RTA
codice articolo del costruttore | FJN3314RTA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FJN3314RTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJN3314RTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN3314RTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJN3314RTA-FT |
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
FJN3312RBU
ON Semiconductor
FJN3313RBU
ON Semiconductor
FJN3314RBU
ON Semiconductor
FJN3315RBU
ON Semiconductor
FJN4301RBU
ON Semiconductor
FJN4302RBU
ON Semiconductor
FJN4303RBU
ON Semiconductor
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
10M25SCE144A7G
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel