casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJN3315RTA
codice articolo del costruttore | FJN3315RTA |
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Numero di parte futuro | FT-FJN3315RTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJN3315RTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN3315RTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJN3315RTA-FT |
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
FJN3312RBU
ON Semiconductor
FJN3313RBU
ON Semiconductor
FJN3314RBU
ON Semiconductor
FJN3315RBU
ON Semiconductor
FJN4301RBU
ON Semiconductor
FJN4302RBU
ON Semiconductor
FJN4303RBU
ON Semiconductor
FJN4304RBU
ON Semiconductor
EP1C3T144C7N
Intel
XC2VP70-5FF1517C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484C3N
Intel
EP3CLS70F484I7N
Intel
5SGXEA5N2F45C2N
Intel
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel