casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2143Z0L
codice articolo del costruttore | DRA2143Z0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA2143Z0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA2143Z0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2143Z0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA2143Z0L-FT |
FJN3310RTA
ON Semiconductor
FJN3311RTA
ON Semiconductor
FJN3312RTA
ON Semiconductor
FJN3313RTA
ON Semiconductor
FJN3314RTA
ON Semiconductor
FJN3315RTA
ON Semiconductor
FJN4304RTA
ON Semiconductor
FJN4306RTA
ON Semiconductor
FJN4307RTA
ON Semiconductor
FJN4308RTA
ON Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35I3N
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5SGXMA4K3F35I3
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XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
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