casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA2124X0L

| codice articolo del costruttore | DRA2124X0L |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DRA2124X0L |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DRA2124X0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DRA2124X0L Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DRA2124X0L-FT |

FJN3306RTA
ON Semiconductor

FJN3307RTA
ON Semiconductor

FJN3308RTA
ON Semiconductor

FJN3309RTA
ON Semiconductor

FJN3310RTA
ON Semiconductor

FJN3311RTA
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FJN3312RTA
ON Semiconductor

FJN3313RTA
ON Semiconductor

FJN3314RTA
ON Semiconductor

FJN3315RTA
ON Semiconductor

XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.

EX128-FTQG100
Microsemi Corporation

XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.

M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation

EP2AGZ350FH29C4N
Intel

EP3SL340F1760I4L
Intel

5SGSMD5H2F35I3N
Intel

XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.

EPF10K30AQI208-3
Intel

EPF8820AQC208-3
Intel