casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP2006UFGQ-13
codice articolo del costruttore | DMP2006UFGQ-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP2006UFGQ-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMP2006UFGQ-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2006UFGQ-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP2006UFGQ-13-FT |
DMN2015UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1022UWS-13
Diodes Incorporated
DMP1022UWS-7
Diodes Incorporated
DMP6185SEQ-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LCG-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LCG-7
Diodes Incorporated
DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
DMT6013LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT6013LFDF-7
Diodes Incorporated
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation