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codice articolo del costruttore | DMT10H072LFDF-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT10H072LFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT10H072LFDF-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 266pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT10H072LFDF-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT10H072LFDF-7-FT |
FKP280A
Sanken
FKP300A
Sanken
NVMTS0D7N04CTXG
ON Semiconductor
NVMTS0D7N04CLTXG
ON Semiconductor
FDMC008N08C
ON Semiconductor
BSP75GQTA
Diodes Incorporated
DMG1012T-13
Diodes Incorporated
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated
DMN1004UFDF-7
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel