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Diodes Incorporated DMT10H015LCG-13

Name: DMT10H015LCG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LCG-13
Price: 0.37584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (85 reviews)

Numero parte MFG: DMT10H015LCG-13

quantità disponibile: 43520 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.37584

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMT10H015LCG-13.pdf

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DMT10H015LCG-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMT10H015LCG-13
Numero di parte futuro	FT-DMT10H015LCG-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMT10H015LCG-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	V-DFN3333-8
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H015LCG-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMT10H015LCG-13-FT

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