casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMT6013LFDF-7
codice articolo del costruttore | DMT6013LFDF-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT6013LFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT6013LFDF-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6013LFDF-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT6013LFDF-7-FT |
NVMTS0D7N04CTXG
ON Semiconductor
NVMTS0D7N04CLTXG
ON Semiconductor
FDMC008N08C
ON Semiconductor
BSP75GQTA
Diodes Incorporated
DMG1012T-13
Diodes Incorporated
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated
DMN1004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LQ-13
Diodes Incorporated
DMN2026UVT-13
Diodes Incorporated
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel