casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN2300UFB-7B
codice articolo del costruttore | DMN2300UFB-7B |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2300UFB-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2300UFB-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.32A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 300mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 67.62pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 468mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X1-DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2300UFB-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2300UFB-7B-FT |
ZXM64P03XTC
Diodes Incorporated
ZXMN2A02X8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A02X8TC
Diodes Incorporated
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
DMP1200UFR4-7
Diodes Incorporated
DMT3006LDK-7
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SJ3
Diodes Incorporated
DMN3025LFV-13
Diodes Incorporated
DMP3018SFV-7
Diodes Incorporated
DMN1004UFV-13
Diodes Incorporated
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel