casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXMN2A02X8TC
codice articolo del costruttore | ZXMN2A02X8TC |
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Numero di parte futuro | FT-ZXMN2A02X8TC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN2A02X8TC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN2A02X8TC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXMN2A02X8TC-FT |
DMTH4004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6010SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6012LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4004LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6012LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel