casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN2013UFDE-7
codice articolo del costruttore | DMN2013UFDE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2013UFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2013UFDE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2453pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 660mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type E) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2013UFDE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2013UFDE-7-FT |
DMP3056LSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSSA-13
Diodes Incorporated
DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4712SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4812SSS-13
Diodes Incorporated
DMN3016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel