casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMS3016SSS-13
codice articolo del costruttore | DMS3016SSS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMS3016SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMS3016SSS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 9.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1849pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.54W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMS3016SSS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMS3016SSS-13-FT |
DMPH3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN10A11KTC
Diodes Incorporated
ZXMP10A17KTC
Diodes Incorporated
DMN3009SK3-13
Diodes Incorporated
DMN3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMN3016LK3-13
Diodes Incorporated
DMN6017SK3-13
Diodes Incorporated
DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SK3-13
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel