casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMG4712SSS-13
codice articolo del costruttore | DMG4712SSS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG4712SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG4712SSS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2296pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.55W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG4712SSS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG4712SSS-13-FT |
ZXMP10A17KTC
Diodes Incorporated
DMN3009SK3-13
Diodes Incorporated
DMN3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMN3016LK3-13
Diodes Incorporated
DMN6017SK3-13
Diodes Incorporated
DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SK3-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
DMP45H4D9HK3-13
Diodes Incorporated
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel