casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN6066SSS-13
codice articolo del costruttore | DMN6066SSS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN6066SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN6066SSS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 502pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN6066SSS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN6066SSS-13-FT |
DMN6017SK3-13
Diodes Incorporated
DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SK3-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
DMP45H4D9HK3-13
Diodes Incorporated
DMP6185SK3-13
Diodes Incorporated
DMPH6050SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SK3-13
Diodes Incorporated
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel