casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN2004VK-7
codice articolo del costruttore | DMN2004VK-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2004VK-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2004VK-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 540mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2004VK-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2004VK-7-FT |
FDS3812
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XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
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A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
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