casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS4953
codice articolo del costruttore | FDS4953 |
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Numero di parte futuro | FT-FDS4953 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS4953 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 15V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS4953 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS4953-FT |
FDMD8260L
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FDMD82100L
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XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
Intel
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
Intel
EP20K100BC356-2
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EPF10K100ABC356-2
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