casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS3912
codice articolo del costruttore | FDS3912 |
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Numero di parte futuro | FT-FDS3912 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS3912 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 50V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS3912 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS3912-FT |
FDMA1028NZ
ON Semiconductor
FDMA1029PZ
ON Semiconductor
FDMA3023PZ
ON Semiconductor
FDMA2002NZ
ON Semiconductor
FDMA1028NZ-F021
ON Semiconductor
FDMD8260L
ON Semiconductor
FDMD82100L
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FDMD8260LET60
ON Semiconductor
FDMD8240L
ON Semiconductor
FDMD8280
ON Semiconductor
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE6E22C6N
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel