casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS6812A
codice articolo del costruttore | FDS6812A |
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Numero di parte futuro | FT-FDS6812A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6812A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1082pF @ 10V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6812A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS6812A-FT |
FDMD82100L
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FDMD8260LET60
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