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ON Semiconductor FDS6812A

Numero parte MFG
FDS6812A
quantità disponibile
46200 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDS6812A specificazioni

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Numero di parte futuro FT-FDS6812A
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDS6812A Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V
Potenza - Max 900mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS6812A Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDS6812A-FT

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