casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN10H170SVTQ-7
codice articolo del costruttore | DMN10H170SVTQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN10H170SVTQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H170SVTQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H170SVTQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN10H170SVTQ-7-FT |
DMT6015LFV-13
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
DMG7401SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN10H170SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3029LFG-7
Diodes Incorporated
DMN6013LFGQ-7
Diodes Incorporated
DMP3017SFG-13
Diodes Incorporated
DMP3017SFG-7
Diodes Incorporated
DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SE-13
Diodes Incorporated