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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13

Name: DMN10H099SFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-13
Price: 0.236944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (141 reviews)

Numero parte MFG: DMN10H099SFG-13

quantità disponibile: 84730 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.236944

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V 4.2A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN10H099SFG-13.pdf

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DMN10H099SFG-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN10H099SFG-13
Numero di parte futuro	FT-DMN10H099SFG-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN10H099SFG-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	980mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN10H099SFG-13-FT

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