codice articolo del costruttore | EPC2014 |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2014 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2014 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die Outline (5-Solder Bar) |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2014 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2014-FT |
FDMS5672
ON Semiconductor
FQPF7N65CYDTU
ON Semiconductor
FQPF8N80CYDTU
ON Semiconductor
FQPF5N50CYDTU
ON Semiconductor
FQPF2N80YDTU
ON Semiconductor
FQPF47P06YDTU
ON Semiconductor
FQPF9P25YDTU
ON Semiconductor
FCPF9N60NTYDTU
ON Semiconductor
FDPF51N25YDTU
ON Semiconductor
FCPF1300N80ZYD
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel