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EPC EPC2010

Numero parte MFG
EPC2010
quantità disponibile
59260 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
EPC
Breve descrizione
eGaN® GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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EPC2010 specificazioni

codice articolo del costruttore EPC2010
Numero di parte futuro FT-EPC2010
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2010 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2010 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio EPC2010-FT

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