casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / EPC2007C
codice articolo del costruttore | EPC2007C |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EPC2007C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2007C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die Outline (5-Solder Bar) |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2007C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2007C-FT |
FDMS2672
ON Semiconductor
FDMS3672
ON Semiconductor
FDMS5672
ON Semiconductor
FQPF7N65CYDTU
ON Semiconductor
FQPF8N80CYDTU
ON Semiconductor
FQPF5N50CYDTU
ON Semiconductor
FQPF2N80YDTU
ON Semiconductor
FQPF47P06YDTU
ON Semiconductor
FQPF9P25YDTU
ON Semiconductor
FCPF9N60NTYDTU
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel