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Diodes Incorporated DMG8N65SCT

Name: DMG8N65SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG8N65SCT
Price: 1.08256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (805 reviews)

Numero parte MFG: DMG8N65SCT

quantità disponibile: 55880 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.08256

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMG8N65SCT.pdf

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DMG8N65SCT specificazioni

codice articolo del costruttore	DMG8N65SCT
Numero di parte futuro	FT-DMG8N65SCT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMG8N65SCT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1217pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG8N65SCT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMG8N65SCT-FT

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