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Infineon Technologies BSD816SNH6327XTSA1
- Numero parte MFG
- BSD816SNH6327XTSA1
- quantità disponibile
- 61390 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.0594
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- BSD816SNH6327XTSA1.pdf
BSD816SNH6327XTSA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | BSD816SNH6327XTSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-BSD816SNH6327XTSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| BSD816SNH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
| Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSD816SNH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | BSD816SNH6327XTSA1-FT |
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