casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC065N06LS5ATMA1
codice articolo del costruttore | BSC065N06LS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC065N06LS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC065N06LS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC065N06LS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC065N06LS5ATMA1-FT |
APT5020BN
Microsemi Corporation
APT5020BNFR
Microsemi Corporation
APT5022BNG
Microsemi Corporation
APT5025BN
Microsemi Corporation
APT5SM170B
Microsemi Corporation
APT5SM170S
Microsemi Corporation
APT6030BN
Microsemi Corporation
APT6040BN
Microsemi Corporation
APT6040BNG
Microsemi Corporation
APT70SM70B
Microsemi Corporation
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel