casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSF450NE7NH3XUMA1
codice articolo del costruttore | BSF450NE7NH3XUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSF450NE7NH3XUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSF450NE7NH3XUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta), 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 8µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 37.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 18W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF450NE7NH3XUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSF450NE7NH3XUMA1-FT |
APT6040BNG
Microsemi Corporation
APT70SM70B
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APT70SM70S
Microsemi Corporation
APT8075BN
Microsemi Corporation
APT80SM120B
Microsemi Corporation
APT80SM120S
Microsemi Corporation
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM35T1G
Microsemi Corporation
APTC60SKM35T1G
Microsemi Corporation
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel