casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSF450NE7NH3XUMA1
codice articolo del costruttore | BSF450NE7NH3XUMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSF450NE7NH3XUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSF450NE7NH3XUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta), 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 8µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 37.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 18W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF450NE7NH3XUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSF450NE7NH3XUMA1-FT |
APT6040BNG
Microsemi Corporation
APT70SM70B
Microsemi Corporation
APT70SM70S
Microsemi Corporation
APT8075BN
Microsemi Corporation
APT80SM120B
Microsemi Corporation
APT80SM120S
Microsemi Corporation
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM35T1G
Microsemi Corporation
APTC60SKM35T1G
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel