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Diodes Incorporated DMG7N65SJ3

Numero parte MFG
DMG7N65SJ3
quantità disponibile
52530 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.770984
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMG7N65SJ3 specificazioni

codice articolo del costruttore DMG7N65SJ3
Numero di parte futuro FT-DMG7N65SJ3
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
DMG7N65SJ3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251
Pacchetto / caso TO-251-3, IPak, Short Leads
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG7N65SJ3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMG7N65SJ3-FT

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