casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG1026UV-7
codice articolo del costruttore | DMG1026UV-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG1026UV-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG1026UV-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 25V |
Potenza - Max | 580mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1026UV-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG1026UV-7-FT |
FDS3601
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FDS3812
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Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
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Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation