casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / DME50B010R
codice articolo del costruttore | DME50B010R |
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Numero di parte futuro | FT-DME50B010R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DME50B010R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP Complementary Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME50B010R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DME50B010R-FT |
STS05DTP03
STMicroelectronics
ECH8501-TL-H
ON Semiconductor
ECH8502-TL-H
ON Semiconductor
US6T8TR
Rohm Semiconductor
US6X7TR
Rohm Semiconductor
US6X8TR
Rohm Semiconductor
QST8TR
Rohm Semiconductor
QS6Z5TR
Rohm Semiconductor
QST9TR
Rohm Semiconductor
QSX7TR
Rohm Semiconductor
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
EPF10K250EBI600-3
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LFE2-50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-4AA
Intel