casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMC1029UFDB-7
codice articolo del costruttore | DMC1029UFDB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMC1029UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMC1029UFDB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A, 3.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
Potenza - Max | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1029UFDB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMC1029UFDB-7-FT |
DMS3019SSD-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LSDQ-13
Diodes Incorporated
HTMN5130SSD-13
Diodes Incorporated
ZXMC10A816N8TC
Diodes Incorporated
ZXMC3A16DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMC4A16DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A09DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A25DN8TA
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel