casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMC1029UFDB-7
codice articolo del costruttore | DMC1029UFDB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMC1029UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMC1029UFDB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A, 3.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
Potenza - Max | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1029UFDB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMC1029UFDB-7-FT |
DMS3019SSD-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LSDQ-13
Diodes Incorporated
HTMN5130SSD-13
Diodes Incorporated
ZXMC10A816N8TC
Diodes Incorporated
ZXMC3A16DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMC4A16DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A09DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A25DN8TA
Diodes Incorporated
A1020B-1VQ80C
Microsemi Corporation
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C8N
Intel
EP4SGX290FF35I3N
Intel