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Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13

Name: HTMN5130SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: HTMN5130SSD-13
Price: 0.80624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (321 reviews)

Numero parte MFG: HTMN5130SSD-13

quantità disponibile: 19970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.80624

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HTMN5130SSD-13.pdf

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HTMN5130SSD-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	HTMN5130SSD-13
Numero di parte futuro	FT-HTMN5130SSD-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HTMN5130SSD-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	218.7pF @ 25V
Potenza - Max	1.7W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HTMN5130SSD-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HTMN5130SSD-13-FT

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