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Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA

Name: ZXMN6A09DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09DN8TA
Price: 1.02 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (595 reviews)

Numero parte MFG: ZXMN6A09DN8TA

quantità disponibile: 22470 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.02

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMN6A09DN8TA.pdf

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ZXMN6A09DN8TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMN6A09DN8TA
Numero di parte futuro	FT-ZXMN6A09DN8TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMN6A09DN8TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1407pF @ 40V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A09DN8TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMN6A09DN8TA-FT

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