casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMTH6016LSD-13
codice articolo del costruttore | DMTH6016LSD-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMTH6016LSD-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH6016LSD-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6016LSD-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMTH6016LSD-13-FT |
DMN63D1LDW-13
Diodes Incorporated
DMN63D1LDW-7
Diodes Incorporated
DMC2004LPK-7
Diodes Incorporated
DMC3025LSD-13
Diodes Incorporated
DMN2041LSD-13
Diodes Incorporated
DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
ZXMHC3F381N8TC
Diodes Incorporated
DMG6898LSDQ-13
Diodes Incorporated
ZXMN3G32DN8TA
Diodes Incorporated
DMC3032LSD-13
Diodes Incorporated
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel