casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTD123TC-7-F
codice articolo del costruttore | DDTD123TC-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTD123TC-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTD123TC-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD123TC-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTD123TC-7-F-FT |
DDTA143EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA144TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA144WE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC113ZE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC122TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC123TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143FE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143ZE-7-F
Diodes Incorporated
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel