casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC123TE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTC123TE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC123TE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC123TE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123TE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC123TE-7-F-FT |
BCR 146T E6327
Infineon Technologies
BCR 148T E6327
Infineon Technologies
BCR 149T E6327
Infineon Technologies
BCR 151T E6327
Infineon Technologies
BCR 153T E6327
Infineon Technologies
BCR 158T E6327
Infineon Technologies
BCR 162T E6327
Infineon Technologies
BCR 164T E6327
Infineon Technologies
BCR 166T E6327
Infineon Technologies
BCR 169T E6327
Infineon Technologies
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel