casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC122TE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTC122TE-7-F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTC122TE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC122TE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC122TE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC122TE-7-F-FT |
BCR 142T E6327
Infineon Technologies
BCR 146T E6327
Infineon Technologies
BCR 148T E6327
Infineon Technologies
BCR 149T E6327
Infineon Technologies
BCR 151T E6327
Infineon Technologies
BCR 153T E6327
Infineon Technologies
BCR 158T E6327
Infineon Technologies
BCR 162T E6327
Infineon Technologies
BCR 164T E6327
Infineon Technologies
BCR 166T E6327
Infineon Technologies
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel