casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC124GE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTC124GE-7-F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTC124GE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC124GE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC124GE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC124GE-7-F-FT |
BCR 148T E6327
Infineon Technologies
BCR 149T E6327
Infineon Technologies
BCR 151T E6327
Infineon Technologies
BCR 153T E6327
Infineon Technologies
BCR 158T E6327
Infineon Technologies
BCR 162T E6327
Infineon Technologies
BCR 164T E6327
Infineon Technologies
BCR 166T E6327
Infineon Technologies
BCR 169T E6327
Infineon Technologies
BCR 179T E6327
Infineon Technologies
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35I3N
Intel
5SGXMA4K3F35I3
Intel
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel