casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC143TE-7
codice articolo del costruttore | DDTC143TE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC143TE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC143TE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 2.5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC143TE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC143TE-7-FT |
DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144VE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143XE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123JE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143ZE-7-F
Diodes Incorporated
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel