casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC143TE-7
codice articolo del costruttore | DDTC143TE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC143TE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC143TE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 2.5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC143TE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC143TE-7-FT |
DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144VE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143XE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123JE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143ZE-7-F
Diodes Incorporated
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel