casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC142JE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTC142JE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC142JE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC142JE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 470 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC142JE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC142JE-7-F-FT |
BCR 153F E6327
Infineon Technologies
BCR 158F E6327
Infineon Technologies
BCR 162F E6327
Infineon Technologies
BCR 164F E6327
Infineon Technologies
BCR 166F E6327
Infineon Technologies
BCR 169F E6327
Infineon Technologies
BCR 179F E6327
Infineon Technologies
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27I7N
Intel
XC4028XL-09BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160A
Microsemi Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel