casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA143ZE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA143ZE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA143ZE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA143ZE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA143ZE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA143ZE-7-F-FT |
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies
BCR 196F E6327
Infineon Technologies
BCR 198F E6327
Infineon Technologies
BCR 199F E6327
Infineon Technologies
BCR 101T E6327
Infineon Technologies
BCR 103T E6327
Infineon Technologies
BCR 108T E6327
Infineon Technologies
BCR 112T E6327
Infineon Technologies
BCR 114T E6327
Infineon Technologies
LFEC1E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBG676I
Xilinx Inc.
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FF1157I
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
AX1000-FGG676I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
EP1SGX40GF1020C7N
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